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SI2303DS-T1

制造商：-
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：- 30 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：- 1.7 A

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产品属性

描述	MOSFET 30V 1.7A 1.25W	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.24 Ohms
配置	Single	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SOT-23 (TO-236)
封装	Reel	下降时间	9 ns
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	1.25 W
上升时间	9 ns	工厂包装数量	3000
典型关闭延迟时间	18 ns

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