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SI3443DV_Q

描述MOSFET SSOT6 SINGLE PCH漏极连续电流- 4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.065 Ohms配置Single Quad Drain
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SSOT-6封装Reel
下降时间19 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)9 S
最小工作温度- 55 C功率耗散1.6 W
上升时间19 ns典型关闭延迟时间26 ns

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