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SI4435BDY-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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产品属性

描述	MOSFET 30V 9.1A 2.5W 20mohm @ 10V	漏极连续电流	7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	20 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow	封装	Reel
下降时间	15 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	1.5 W	上升时间	15 ns
工厂包装数量	2500	典型关闭延迟时间	110 ns
零件号别名	SI4435BDY-GE3

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