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  • SI4569DY-T1-E3

SI4569DY-T1-E3

  • 制造商:-
  • 数据列表:SI4569DY
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.67905
  • 5000$0.6539
  • 12500$0.62875
  • 25000$0.61618
  • 62500$0.6036
产品属性
描述MOSFET N/P-CH 40V 8-SOICFET 型N 和 P 沟道
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A,6.1A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C27 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs32nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds855pF @ 20V功率 - 最大2W
安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOICN包装带卷 (TR)
其它名称SI4569DY-T1-E3TR

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