描述 | MOSFET Single P-Ch 30V/25V | 漏极连续电流 | - 8.8 A |
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电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.015 Ohms | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
下降时间 | 23 ns | 正向跨导 gFS(最大值/最小值) | 20 S |
最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
上升时间 | 15 ns | 工厂包装数量 | 2500 |
典型关闭延迟时间 | 55 ns |