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  • SI4835DY

SI4835DY

描述MOSFET Single P-Ch 30V/25V漏极连续电流- 8.8 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.015 Ohms配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8 Narrow封装Reel
下降时间23 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)20 S
最小工作温度- 55 C功率耗散2.5 W
上升时间15 ns工厂包装数量2500
典型关闭延迟时间55 ns

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