| 描述 | MOSFET 30V 4.7/9A | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 22 mOhms, 10.5 mOhms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Dual | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 下降时间 | 5 ns at Channel 1, 11 ns at Channel 2 | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1 W, 1.25 W | 上升时间 | 5 ns at Channel 1, 11 ns at Channel 2 |
| 工厂包装数量 | 100 | 典型关闭延迟时间 | 26 ns at Channel 1, 58 ns at Channel 2 |
