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  • SI5938DU-T1-E3

SI5938DU-T1-E3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述MOSFET DUAL N-CH 20V 6A 8PWRPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C39 毫欧 @ 4.4A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 8V输入电容 (Ciss) @ Vds520pF @ 10V
功率 - 最大2.3W安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? CHIPFET? 双供应商设备封装PowerPAK? ChipFet 双
包装带卷 (TR)其它名称SI5938DU-T1-E3TRSI5938DU-T1-GE3SI5938DU-T1-GE3TRSI5938DU-T1-GE3TR-ND

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