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SI6426DQ-T1

产品属性

描述	MOSFET 20V 5.4A 1.5W	漏极连续电流	5.4 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	35 mOhms at 4.5 V	配置	Single Triple Drain Quad Source
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSSOP-8	封装	Reel
下降时间	65 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	1500 mW	上升时间	65 ns
工厂包装数量	3000	典型关闭延迟时间	100 ns

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