| 描述 | MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.2A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 15 毫欧 @ 7.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 800mV @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 60nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 功率 - 最大 | 1.05W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-TSSOP | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI6463BDQ-T1-E3TR |
