| 描述 | MOSFET 20V 2.5/1.9A | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.09 Ohms at 10 V, 0.17 Ohms at - 10 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Dual Dual Source | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TSSOP-8 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 6 nS, 6 nS |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 5 S, 3 S | 栅极电荷 Qg | 7 nC, 7 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 1 W |
| 上升时间 | 11 nS, 12 nS | 工厂包装数量 | 3000 |
| 典型关闭延迟时间 | 16 nS, 17 nS |
