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SI6543DQ-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N and P-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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产品属性

描述	MOSFET 30V 3.9/2.5A 1.0W 6.5/8.5mohm @ 10V	漏极连续电流	3.9 A, 2.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	65 mOhms, 85 mOhms	配置	Dual
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSSOP-8	封装	Reel
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	1 W
工厂包装数量	3000	典型关闭延迟时间	18 ns, 14 ns
零件号别名	SI6543DQ-GE3

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