您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si6544dq-t1-e3

SI6544DQ-T1-E3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N and P-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET 30V 4/3.5A	漏极连续电流	4 A, 3.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	35 mOhms, 45 mOhms	配置	Dual
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSSOP-8	封装	Reel
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	1 W
工厂包装数量	3000	典型关闭延迟时间	25 ns at N Channel, 33 ns at P Channel
零件号别名	SI6544DQ-E3

si6544dq-t1-e3的相关型号：