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  • SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 特色产品:MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.3335
  • 6000$0.3105
  • 15000$0.299
  • 30000$0.2875
  • 75000$0.2829
产品属性
描述MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 7.9A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs14.03nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds732pF @ 4V功率 - 最大13W
安装类型表面贴装封装/外壳PowerPAK? SC-75-6L
供应商设备封装PowerPAK? SC-75-6L 单包装带卷 (TR)
其它名称SIB414DK-T1-GE3TR

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