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  • SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:TrenchFET?
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6FET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)32 毫欧 @ 3A,4.5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)18.5 nC @ 5 VVgs(最大值)±5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)878 pF @ 4 VFET 功能-
功率耗散(最大值)2.4W(Ta),13W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PowerPAK? SC-75-6
封装/外壳PowerPAK? SC-75-6

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