您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > sihu3n50d-e3

SIHU3N50D-E3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.36288
  • 6000$0.34474
  • 15000$0.33048
  • 30000$0.32141
  • 75000$0.31104
产品属性
描述MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.2 欧姆 @ 2.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds175pF @ 100V
功率 - 最大104W安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商设备封装TO-251AA
包装带卷 (TR)其它名称SIHU3N50D-E3TR

sihu3n50d-e3的相关型号: