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  • SIZ900DT-T1-GE3

SIZ900DT-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1940¥6.07
  • 3000¥5.87
  • 6000¥5.73
  • 12000¥5.59
产品属性
描述MOSFET 30V 24/28A 48/100W 7.2/3.9mOhms @ 10V漏极连续电流24 A, 28 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)5.9 mOhms, 3.2 mOhms配置Dual Common Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PowerPAIR封装Reel
功率耗散48 W, 100 W零件号别名SIZ900DT-GE3

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