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  • STB11NM60N-1

STB11NM60N-1

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 600V 10A I2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C450 毫欧 @ 5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs31nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds850pF @ 50V
功率 - 最大90W安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I?Pak,TO-262AA供应商设备封装I2PAK
包装管件

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