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  • STI100N10F7

STI100N10F7

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  • 现有数量:0现货
  • 价格:在售
  • 系列:STripFET?
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 80A I2PAKFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)80A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8 毫欧 @ 40A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)61 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-FET 功能-
功率耗散(最大值)150W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装I2PAK(TO-262)
封装/外壳TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA

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