| 描述 | MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 180 毫欧 @ 9.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2050pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 150W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I?Pak，TO-262AA | 供应商设备封装 | I2PAK |
| 包装 | 管件 |
