| 描述 | MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3 毫欧 @ 80A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 160nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5350pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 210W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 | 供应商设备封装 | PowerSO-10 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【STMicroelectronics】STV160NF03LT4,MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
【STMicroelectronics】STV200N55F3,MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
【STMicroelectronics】STV2050A,IC DGTL CONVERGENCE PROC 80-PQFP
【STMicroelectronics】STV240N75F3,MOSFET N-CH 75V 240A POWERSO-10
【STMicroelectronics】STV250N55F3,MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10
