| 描述 | MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6 | 系列 | - |
|---|---|---|---|
| FET 型 | N 和 P 沟道 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V，20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.4A，1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 240 毫欧 @ 1.4A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 2nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 70pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 | 供应商设备封装 | TUMT6 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
