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VQ1000J

制造商：-
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：60 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：0.225 A

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产品属性

描述	MOSFET QD 60V 0.225A	电阻汲极/源极 RDS（导通）	5500 mOhms
配置	Quad	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	PDIP-14
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	1300 mW
工厂包装数量	25

“VQ1000J”DZBBS

请问用 vq1000j什么芯片替换好呢???
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