| 描述 | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 5 欧姆 @ 500mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 60pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 350mW | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 | 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | 2N7000RLRAGOSTR |
产品型号:2n7000rlrag源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):5000最大漏极电流id(on)(a):0.200通道极性:n沟道封装/温度(℃):to-92/-55~150描述:小信号n沟道to92封装场效应管价格/1片(套):￥.90 来源:xiangxueqin ...
