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3N163

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：40 V
闸/源击穿电压：+/- 30 V

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参考价格

数量单价
105￥152.70
200￥146.97
500￥141.24

产品属性

描述	MOSFET 40V 5mA 375mW	漏极连续电流	0.05 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	250000 mOhms at 20 V	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-206AF	封装	Bulk
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	375 mW
上升时间	13 ns	工厂包装数量	200
典型关闭延迟时间	25 ns

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