封装类型 | SOT-262A1 | 针脚数 | 5 |
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SVHC(高度关注物质) | No SVHC (18-Jun-2012) | 功率, Pd | 500W |
功耗 | 500W | 在电阻RDS(上) | 200mohm |
存储温度, 最低 | -65°C | 存储温度, 最高 | 150°C |
封装类型 | SOT-262A1 | 封装类型 | SOT-262A1 |
晶体管极性 | ?频道 | 最大功耗 | 500W |
漏极电流, Id 最大值 | 18A | 电压 @ Rds测量 | 10V |
电压 Vgs @ Rds on 测量 | 10V | 电压, Vds | 125V |
电压, Vgs 最高 | 20V | 结温, Tj 最高 | 200°C |
阈值电压, Vgs th 最低 | 2V | 阈值电压, Vgs th 最高 | 4.5V |
要求。mosfet场效应管具有负温度系数特性,无须另加温补电路。但易引发载波寄生相位调制。为求得效率和线性的平衡,晶体管通常工作在ab类,其非线性失真是不可避免的。近年来,飞利浦等公司相继开发出横向扩散金属氧化半导体硅厂效应管(ldmos),经uhf电视发射机使用证实,其线性和效率优于双极性晶体管、mosfet管,特别适合数字电视放大。即使工作在ab类,其性能仍接近a类放大特性,由于ldmos场效应管的的优异性能,使其成为uhf波段新型固态发射的。vhf波段功放单元功放管一般采用blf861a与blf278的vdmos场效应管blf278,uhf波段功放单元采用横向扩散金属氧化半导体硅场效应管(ldmos)blf861a。 表1 管脚与电极的对应关系 2.mos管的更换方法和注意事项 由于mos型场效应管制造工艺中绝缘层很薄,所以栅极和衬底易感应电荷,由栅极、绝缘层和衬底组成的电容器容量很小,感应电荷将在绝缘层上产生很高的电压,易导致场效应管绝缘层被击穿,以致损坏管子。所以在使用、保存、更换mos管时必须采取防静电措施。因为大功率mos管目前仍是一种较昂贵的器件,每只管子的价格在 ...
。 图3中下变频器增益为15db,agc电路增益为(30-50)db,阻抗为50ω,功率模块bgx885增益为17db,最大输出电平60 dbmv㏒,输出电平10db可调。agc电路保证微波输出电平不受传输衰弱影响。 2.1.3电视发射机改造: 考虑到数字电视信号功率平均分布整个频道内,发射机的末级功放的平均功率比峰值功率低得多,为了提高发射功率,对北广7频道50w电子管电视发射机进行固态化改造,即用增益为20db的300w固态功放模块替代发射机的电子管功放。该功放板采用飞利浦blf278功率场效应对管组成甲类放大电路,每管静态工作电流为2a,最大输出功率达300瓦。开关电源输出dc50v(10a)带过流过压保护。具体做法如下: (1)打开电子管电视发射机后门,将300w功放模块散热风扇和开关电源固定在合适的位置。 (2) 发射机改装后,原机电控系统不能用,信号线也须改接,因此,必须重新布线。发射机的信号线接法比较容易,只要将发射单元输出接300w功放模块输入,功放模块输出接电视发射机定向耦合器即可。改装后电视发射机仅需单相供电,原机的三相稳压电源可不用。电视发射机的 ...