| 描述 | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 个 N 通道（半桥） | FET 功能 | 逻辑电平栅极，5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 250μA，1.6V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V |
| 功率 - 最大值 | 6W | 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | 8-VSON（3.3x3.3） |
