描述 | GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | GaNFET(氮化镓) | 漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 36A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 7 毫欧 @ 25A,5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 5mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 9 nC @ 5 V | Vgs(最大值) | +6V,-4V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 900 pF @ 50 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | - | 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 模具 |
封装/外壳 | 模具 |