| 描述 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 80A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.5 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 124nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 6400pF @ 25V | 功率 - 最大 | 310W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | TO-263AB | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDB035AN06A0-NDFDB035AN06A0TR |
【Fairchild Semiconductor】FDB035AN06A0_Q,MOSFET N-Channel PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDB035N10A,MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB039N06,MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB045AN08A0,MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB045AN08A0_F085,MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB045AN08A0_Q,MOSFET N-Channel UltraFET
