| 描述 | MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 10.5 毫欧 @ 75A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 37nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1840pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 135W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | TO-263AB |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDB10AN06A0_Q,MOSFET N-Channel PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDB110N15A,MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB120N10,MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB12N50FTM_WS,MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB12N50TM,MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB12N50UTM_WS,MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB13AN06A0,MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB