| 描述 | MOSFET N-Channel PowerTrench | 漏极连续电流 | 75 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.0095 Ohms at 10 V | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TO-263AB | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 36 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 135 W | 上升时间 | 128 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDB110N15A,MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB120N10,MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB12N50FTM_WS,MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB12N50TM,MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB12N50UTM_WS,MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB13AN06A0,MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB13AN06A0_Q,MOSFET N-Channel PowerTrench