| 描述 | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 500V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 700 毫欧 @ 6A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1395pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 165W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | D?PAK |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDB12N50FTM_WS-ND |
【Fairchild Semiconductor】FDB12N50TM,MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB12N50UTM_WS,MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB13AN06A0,MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB13AN06A0_Q,MOSFET N-Channel PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDB14AN06LA0,MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB14AN06LA0_F085,MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK
