| 描述 | MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 62A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 13.5 毫欧 @ 62A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1350pF @ 25V | 功率 - 最大 | 115W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | TO-263AB | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDB13AN06A0-ND |
【Fairchild Semiconductor】FDB13AN06A0_Q,MOSFET N-Channel PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDB14AN06LA0,MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB14AN06LA0_F085,MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB14N30TM,MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB150N10,MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB15N50,MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB16AN08A0,MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB