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  • FDB2670

FDB2670

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 200V 19A TO-263ABFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C19A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫欧 @ 10A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1320pF @ 100V
功率 - 最大93W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装TO-263AB
包装带卷 (TR)

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