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  • FDC6318P

FDC6318P

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.3045
  • 6000$0.2835
  • 15000$0.273
  • 30000$0.2625
  • 75000$0.2583
描述MOSFET P-CH DUAL 12V SSOT-6FET 型2 个 P 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds455pF @ 6V功率 - 最大700mW
安装类型表面贴装封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装6-SSOT包装带卷 (TR)
其它名称FDC6318P-NDFDC6318PTR

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