描述 | MOSFET N-CH 30V 5.2A 6-SSOT | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 42 毫欧 @ 5.2A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 538pF @ 10V |
功率 - 最大 | 800mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 | 供应商设备封装 | 6-SSOT |
包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDC634P,MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC636P,MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC636P_F095,MOSFET -20V -2.8A P-CH ENHANCEMENT MODE
【Fairchild Semiconductor】FDC637AN,MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC637AN_F095,MOSFET 2.5V N-CH POWERTRENCH
【Fairchild Semiconductor】FDC637BNZ,MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC638APZ,MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC638P,MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6