描述 | MOSFET -20V -2.8A P-CH ENHANCEMENT MODE | 漏极连续电流 | 2.8 A |
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配置 | Single Quad Drain | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SuperSOT-6 |
封装 | Reel | 下降时间 | 26 ns |
最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 1600 mW |
上升时间 | 26 ns | 工厂包装数量 | 3000 |
典型关闭延迟时间 | 8 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDC637AN,MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC637AN_F095,MOSFET 2.5V N-CH POWERTRENCH
【Fairchild Semiconductor】FDC637BNZ,MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC638APZ,MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC638P,MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6392S,MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6