您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > fdc636p_f095

FDC636P_F095

描述MOSFET -20V -2.8A P-CH ENHANCEMENT MODE漏极连续电流2.8 A
配置Single Quad Drain最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SuperSOT-6
封装Reel下降时间26 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散1600 mW
上升时间26 ns工厂包装数量3000
典型关闭延迟时间8 ns

fdc636p_f095的相关型号: