| 描述 | MOSFET SSOT-6 P-CH -20V | 漏极连续电流 | - 4.5 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.048 Ohms | 配置 | Single Quad Drain |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SSOT-6 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 9 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1.6 W | 上升时间 | 9 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDC6392S,MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6392S_Q,MOSFET 20V P-Ch PowerTrench Integrated
【Fairchild Semiconductor】FDC6401N,MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6401N_NL,MOSFET Dual N-Ch 2.5V PowerTrench MOSFET
【Fairchild Semiconductor】FDC6401N_Q,MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
【Fairchild Semiconductor】FDC640P,MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC640P_F095,MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-SSOT