| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6 | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 二极管（隔离式） | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.2A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 150 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 369pF @ 10V | 功率 - 最大 | 700mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | 6-SSOT | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDC6392STRFDC6392S_NLFDC6392S_NLTRFDC6392S_NLTR-ND |
【Fairchild Semiconductor】FDC6392S_Q,MOSFET 20V P-Ch PowerTrench Integrated
【Fairchild Semiconductor】FDC6401N,MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6401N_NL,MOSFET Dual N-Ch 2.5V PowerTrench MOSFET
【Fairchild Semiconductor】FDC6401N_Q,MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
【Fairchild Semiconductor】FDC640P,MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC640P_F095,MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC6420C,MOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6
