| 描述 | MOSFET 20V P-Ch PowerTrench Integrated | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.15 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SSOT-6 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 11 ns |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 6 S | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 0.96 W | 上升时间 | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDC6401N,MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6401N_NL,MOSFET Dual N-Ch 2.5V PowerTrench MOSFET
【Fairchild Semiconductor】FDC6401N_Q,MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
【Fairchild Semiconductor】FDC640P,MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC640P_F095,MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC6420C,MOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6
