| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 43 毫欧 @ 4.5A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1000pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 800mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 供应商设备封装 | 6-SSOT |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDC638APZTR |
【Fairchild Semiconductor】FDC638P,MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6392S,MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6392S_Q,MOSFET 20V P-Ch PowerTrench Integrated
【Fairchild Semiconductor】FDC6401N,MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6401N_NL,MOSFET Dual N-Ch 2.5V PowerTrench MOSFET
【Fairchild Semiconductor】FDC6401N_Q,MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
