| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.2A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 24 毫欧 @ 6.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1125pF @ 10V | 功率 - 最大 | 800mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | 6-SSOT | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDC637AN-NDFDC637ANTR |
【Fairchild Semiconductor】FDC637AN_F095,MOSFET 2.5V N-CH POWERTRENCH
【Fairchild Semiconductor】FDC637BNZ,MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC638APZ,MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC638P,MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6392S,MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6392S_Q,MOSFET 20V P-Ch PowerTrench Integrated
