| 描述 | MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.9 毫欧 @ 35A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 118nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5160pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 160W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDD050N03B,MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FDD068AN03L,MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK
【Fairchild Semiconductor】FDD107AN06LA0,MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK
【Fairchild Semiconductor】FDD10AN06A0,MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
【Fairchild Semiconductor】FDD10AN06A0_Q,MOSFET 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
【Fairchild Semiconductor】FDD10N20LZTM,MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
