| 描述 | INTEGRATED CIRCUIT | 技术 | - |
|---|---|---|---|
| 配置 | - | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | - | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | - | 工作温度 | - |
| 安装类型 | - | 封装/外壳 | - |
| 供应商器件封装 | - |
【Fairchild Semiconductor】FDG6306P,MOSF P CH DUAL 20V 600MA SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG6306P_Q,MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
【Fairchild Semiconductor】FDG6308P,MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG6308P_Q,MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench
【Fairchild Semiconductor】FDG6313N,MOSFET N-CH DUAL 25V SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG6314P,MOSFET P-CH DUAL 25V SC70-6
