| 描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 420 mOhms at 4.5 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Dual | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SC-70-6 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 14 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 300 mW |
| 上升时间 | 14 ns | 典型关闭延迟时间 | 6 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDG6306P_Q,MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
【Fairchild Semiconductor】FDG6308P,MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG6308P_Q,MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench
【Fairchild Semiconductor】FDG6313N,MOSFET N-CH DUAL 25V SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG6314P,MOSFET P-CH DUAL 25V SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG6316P,MOSF P CH DUAL 12V 700MA SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG6316P_Q,MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V