| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.2 毫欧 @ 75A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 151nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 9815pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 231W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I?Pak，TO-262AA | 供应商设备封装 | I2PAK |
| 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FDI038AN06A0,MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB
【Fairchild Semiconductor】FDI040N06,MOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm
【Fairchild Semiconductor】FDI045N10A,MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
【Fairchild Semiconductor】FDI045N10A_F102,MOSFET N-Channel PwrTrench 100V 164A 4.5mOhm
【Fairchild Semiconductor】FDI047AN08A0,MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB
【Fairchild Semiconductor】FDI047AN08A0_F085,MOSFET 75V N-Ch PowerTrench