| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 10A MCRFET | FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 23 毫欧 @ 10A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1610pF @ 10V | 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-MLP，Power33 |
| 供应商设备封装 | Power33 | 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDM3622,MOSFET N-CH 100V 4.4A POWER33
【Fairchild Semiconductor】FDM606P,MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDM606P_Q,MOSFET P-Ch Power Trench Logic Level 1.8V
【Fairchild Semiconductor】FDM6296,MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33
【Fairchild Semiconductor】FDMA0104,MOSFET 20V Single NCh PowerTrench
