| 描述 | MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V | 漏极连续电流 | - 11 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.009 Ohms | 配置 | Single Quint Drain Dual Source |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SSOT-8 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 20 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 56 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 1.8 W |
| 上升时间 | 20 ns | 典型关闭延迟时间 | 201 ns |