| 描述 | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 150V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 78 毫欧 @ 4.1A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 53nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1884pF @ 75V |
| 功率 - 最大 | 1.8W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS2070N7TRFDS2070N7_NLFDS2070N7_NLTRFDS2070N7_NLTR-ND |
【Fairchild Semiconductor】FDS2170N3,MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS2170N7,MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS2572,MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS2572_Q,MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
【Fairchild Semiconductor】FDS2582,MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS2582_Q,MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V