| 描述 | MOSFET N/P-CH 30/20V 8SOIC | FET 型 | N 和 P 沟道 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.3A，5.6A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 18 毫欧 @ 9.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1958pF @ 10V | 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDS4501H-NDFDS4501HFSTR |
