| 描述 | MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 13A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 9 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3939pF @ 15V | 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
测量的是三相定子绕组对地的端电压。端电压过中点(直流电源电压的一半)与反电动势过零点在时间上是重合的，所以寻找反电动势的过零点后30°电角度即相当于寻找端电压的过中点后30°电角度。 2 控制系统设计 2．1 硬件电路设计 系统的硬件电路图如图2所示，以c8051f330单片机、逆变桥电路、端电压检测电路、稳压电路等组成。本电路设计得非常简洁，各种元器件都使用小型的贴片封装，非常适合对成本和体积都比较敏感的微型电机控制器。 逆变桥电路中上桥臂为p型mosfet器件fds6679，下桥臂为n型mosfet器件m4410b，均为低电压驱动器件。fds66 79通过一个npn型三极管驱动，而m441 0b由c8051f330的p1口直接驱动(p1口设置成推挽输出)。pwm控制模式定为：pwm仅应用于半桥的下端mosfet，同时换流的上端(对角线)mosfet仅起换相通断控制。 电源电压和电流的检测：当uv相通电，在pwm开通期间检测u相的端电压uu，由于mosfet的通态电压很小(小于0．1v)，端电压uu可以近似看作是电源电压ud；在下桥臂源极和电源地之间串接采样电 ...
【Fairchild Semiconductor】FDS6679AZ,MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680,MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680_L99Z,MOSFET N-Channel PWM Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDS6680A,MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680A_Q,MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V
【Fairchild Semiconductor】FDS6680AS,MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680S,MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC